Фотодиод ФД-299М

Голосов пока нет
Наличие:
Уточнить у менеджера
Производитель: 
  • Описание
  • Доставка
  • Отзывы(0)
  • Кремниевый четырехэлементный матричный p-n фотодиод ФД299М применяется для датчиков ближнего ИК-излучения

    Отличительные особенности

    • повышенная стойкость к ионизационным излучениям;
    • негерметичное безкорпусное исполнение.
    Технические характеристики
    Наименование параметра Значение
    Площадь фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мм2 2х2
    Режим работы - фотогальванический, без подачи напряжения смещения. Токовая интегральная чувствительность каждого ФЧЭ при напряжении смещения Uсм= 0 В, мА/лм, не менее 3,6
    Область спектральной чувствительности, мкм 0,4-1,0
    Емкость каждого ФЧЭ при Uсм= 0 В, пФ, не более 60

    Габаритные размеры фотодиода ФД299М

    рис. 1 - Габаритные размеры фотодиода ФД299М

    Фотодиод ФД-299М доставляются следующими ТК:

    • ТК Деловые линии
    • ПЭК
    • КИТ
    • Желдорэкспедиция
    • Почта России

    Приблизительный срок доставки в город Москва: от 2 дней

    Стоимость доставки до терминала ТК - бесплатно

    Возможна адресная доставка по Москве

    Для приблизительного расчета стоимости и сроков доставки в другой город воспользуйтесь онлайн-калькулятором:

    Добавить отзыв

Похожие товары

Отзывы: 0
0
Цена: Уточняйте
Отзывы: 0
3
Цена: Уточняйте